NPN-Transistor 2SC5242, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V

NPN-Transistor 2SC5242, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V

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NPN-Transistor 2SC5242, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-16C1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 230V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5242. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 200pF. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 130W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SA1962. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 230V. Originalprodukt vom Hersteller: Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5242
26 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-16C1A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
230V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
HI-FI
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5242
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Kosten)
200pF
Maximaler hFE-Gewinn
160
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
130W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) 2SA1962
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
230V
Originalprodukt vom Hersteller
Pmc

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