NPN-Transistor 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

NPN-Transistor 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
5.59€
5-9
5.03€
10-19
4.71€
20-29
4.47€
30+
4.14€
Menge auf Lager: 30

NPN-Transistor 2SC5302, 15A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PML. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: Ultrahigh-Definition CRT Display. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 35A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5302. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. Spec info: hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.). Sättigungsspannung VCE(sat): 5V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5302
25 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PML
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
FT
kHz
Funktion
Ultrahigh-Definition CRT Display
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
35A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5302
Maximaler hFE-Gewinn
30
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
75W
Spec info
hohe Geschwindigkeit (tf=100ns typ.)
Sättigungsspannung VCE(sat)
5V
Technologie
„Triple Diffused Planar Silicon Transistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo