NPN-Transistor 2SC5696, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PMLH. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: nein. FT: kHz. Funktion: High-Speed. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 36A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5696. Maximaler hFE-Gewinn: 11. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1600V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12