NPN-Transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

NPN-Transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V

Menge
Stückpreis
1-4
11.10€
5-9
10.20€
10-24
9.69€
25-49
9.12€
50+
8.41€
Menge auf Lager: 1

NPN-Transistor 2SC5859, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Kollektorstrom: 23A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): 2-21F2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 750V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 2 MHz. Funktion: Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 46A. Maximaler hFE-Gewinn: 55. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 210W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffused MESA Type“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1700V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12

Technische Dokumentation (PDF)
2SC5859
25 Parameter
Kollektorstrom
23A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
2-21F2A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
750V
Anzahl der Terminals
3
Darlington-Transistor?
nein
FT
2 MHz
Funktion
Für hochauflösende horizontale Ablenkung, HD-TV
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
46A
Maximaler hFE-Gewinn
55
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
4.5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
210W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Technologie
„Triple Diffused MESA Type“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.15us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1700V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Toshiba