NPN-Transistor 2SD1062, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 10 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitswechselrichter, Konverter, Low-Sat. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D1062. Maximaler hFE-Gewinn: 280. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB826. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:12