NPN-Transistor 2SD2012, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): 2-10R1A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D2012. Kosten): 35pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB1366. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:46