NPN-Transistor 2SD667, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. FT: 140 MHz. Funktion: Niederfrequenz-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 9mm. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D667. Maximaler hFE-Gewinn: 120. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.9W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) 2SB647. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:24