NPN-Transistor 3DD13009K, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220C. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 4 MHz. Funktion: Fast-switching. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: D13009K. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Jilin Sino-microelectronics Co. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 07:54