NPN-Transistor BC107B, TO-18 ( TO-206 ), 100mA, 0.2A, TO-18, 45V

NPN-Transistor BC107B, TO-18 ( TO-206 ), 100mA, 0.2A, TO-18, 45V

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0.80€
5-24
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NPN-Transistor BC107B, TO-18 ( TO-206 ), 100mA, 0.2A, TO-18, 45V. Gehäuse: TO-18 ( TO-206 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-18. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-18. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC107B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 4.5pF. Maximale Temperatur: +175°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56

Technische Dokumentation (PDF)
BC107B
30 Parameter
Gehäuse
TO-18 ( TO-206 )
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Kollektorstrom
0.2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-18
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
150 MHz
Funktion
Allzweck
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-18
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC107B
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
4.5pF
Maximale Temperatur
+175°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.3W
Maximaler hFE-Gewinn
450
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
RoHS
ja
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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