NPN-Transistor BC327-25, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Kosten): 12pF. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 160. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC337-25. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:56