NPN-Transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V

NPN-Transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0545€
50-99
0.0473€
100-199
0.0429€
200+
0.0365€
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NPN-Transistor BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 800mA. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 100MHz. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 50V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 170. FT: 100 MHz. Funktion: Allzweck. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Gewinne hfe: 400. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC337-40. Ic(Impuls): 1A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A]: 800mA. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konditionierung: Ammo Pack. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 12pF. Leistung: 0.625W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 45V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC327-40. Strom max 1: 0.8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: NPN. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC337-40
51 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
45V
Kollektorstrom Ic [A], max.
800mA
Kollektorstrom
0.8A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
100MHz
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
50V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
170
FT
100 MHz
Funktion
Allzweck
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Gewinne hfe
400
Grenzfrequenz ft [MHz]
100 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC337-40
Ic(Impuls)
1A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Kollektorstrom Ic [A]
800mA
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konditionierung
Ammo Pack
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
12pF
Leistung
0.625W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
Maximaler hFE-Gewinn
630
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
250
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BC
Spannung (Sammler - Emitter)
45V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC327-40
Strom max 1
0.8A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Transistortyp
NPN
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
10