NPN-Transistor BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

NPN-Transistor BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

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1-4
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5-49
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NPN-Transistor BC517_D74Z, 30V, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 30V. Kollektorstrom: 1.2A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 200MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Leistung: 0.625W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 30000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC516. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 40V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

BC517_D74Z
26 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
30V
Kollektorstrom
1.2A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 ( Ammo Pack )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
ja
FT
200MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Leistung
0.625W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Menge pro Karton
2
Minimaler hFE-Gewinn
30000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC516
Transistortyp
NPN
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
40V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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