NPN-Transistor BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V
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NPN-Transistor BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 65V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 65V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 300MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. FT: 100 MHz. Frequenz: 300MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Ic(Impuls): 0.2A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA, 0.1A. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konditionierung: -. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 6pF. Leistung: 0.5W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 65V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC556B. Strom max 1: 0.1A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.09V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 80V. Vebo: 6V. Verpackung: -. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34