NPN-Transistor BC546BG, 80V, TO-92, 0.2A, 100mA

NPN-Transistor BC546BG, 80V, TO-92, 0.2A, 100mA

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NPN-Transistor BC546BG, 80V, TO-92, 0.2A, 100mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.2A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Herstellerkennzeichnung: BC546B. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 65V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 0.5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.625W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Transistortyp: NPN-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:51

Technische Dokumentation (PDF)
BC546BG
18 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
80V
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.2A
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226AA
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Herstellerkennzeichnung
BC546B
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
65V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
0.5W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.625W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Transistortyp
NPN-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi