Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
45V
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Betriebstemperatur
-55...+150°C
Collector-Base-Spannung VCBO
50V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
200
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Grenzfrequenz ft [MHz]
300 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC547B
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Komponentenfamilie
NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.5W
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC557B
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Technologie
„Epitaktischer Planartransistor“
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil