NPN-Transistor BC550B, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

NPN-Transistor BC550B, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0804€
50-99
0.0675€
100-199
0.0560€
200+
0.0429€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 304
Minimum: 10

NPN-Transistor BC550B, TO-92, 0.1A, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Frequenz: 300MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Kosten): 2.5pF. Leistung: 0.5W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC560B. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC550B
31 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
150 MHz
Frequenz
300MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Kosten)
2.5pF
Leistung
0.5W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Maximaler hFE-Gewinn
450
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
50V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC560B
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil
Mindestmenge
10

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