NPN-Transistor BC556C, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 150 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC546C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34