NPN-Transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V

NPN-Transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V

Menge
Stückpreis
10-49
0.0378€
50-99
0.0335€
100-199
0.0292€
200+
0.0222€
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NPN-Transistor BC557B, TO-92, TO-226, -45V, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 50V. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 150MHz. Betriebstemperatur: -...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -50V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. FT: 150 MHz. Gewinne hfe: 200. Grenzfrequenz ft [MHz]: 150 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BC557B. Ic(Impuls): 200mA. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konditionierung: -. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 6pF. Leistung: 0.5W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.65V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 45V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC547B. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Verpackung: -. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC557B
49 Parameter
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-226
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-45V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
45V
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
150MHz
Betriebstemperatur
-...+150°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-50V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
200
FT
150 MHz
Gewinne hfe
200
Grenzfrequenz ft [MHz]
150 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BC557B
Ic(Impuls)
200mA
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
6pF
Leistung
0.5W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.65V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.5W
Maximaler hFE-Gewinn
450
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
250
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BC
Spannung (Sammler - Emitter)
45V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BC547B
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.3V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Transistortyp
PNP
Typ
Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil
Mindestmenge
10