NPN-Transistor BC558B, TO-92, 100mA, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Frequenz: 150MHz. Funktion: Umschaltung und NF-Verstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Konditionierung: Ammo Pack. Leistung: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.08V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34