NPN-Transistor BC559C, TO-92, 0.1A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

NPN-Transistor BC559C, TO-92, 0.1A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v

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NPN-Transistor BC559C, TO-92, 0.1A, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Gewinne hfe: 400. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Konditionierung: Ammo Pack. Leistung: 0.5W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Technologie: Epitaxialer Planartransistor. Transistortyp: PNP. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

BC559C
24 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92 ( Ammo Pack )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
Darlington-Transistor?
nein
FT
150 MHz
Funktion
Allzweck
Gewinne hfe
400
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
100mA
Konditionierung
Ammo Pack
Leistung
0.5W
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.5W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
30V
Technologie
Epitaxialer Planartransistor
Transistortyp
PNP
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc
Mindestmenge
10