NPN-Transistor BC560C, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Frequenz: 150MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA, 0.1A. Konditionierung: Ammo Pack. Kosten): 2.5pF. Leistung: 0.5W. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 380. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 45V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC550C. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Lge Technology. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34