NPN-Transistor BC639-16, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 800mW. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BC640-16. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 80V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34