NPN-Transistor BC817-40, SOT-23 ( TO-236 ), 45V, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 45V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 100MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 50V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 250. FT: 170 MHz. Funktion: NF-TR. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6C. Kollektorstrom Ic [A]: 0.5A. 500mA. Kosten): 10pF. Leistung: 225mW. Maximaler hFE-Gewinn: 630. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 250. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Originalverpackung: 3000. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6C. Strom max 1: 0.8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Transistortyp: NPN. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Verpackung: Spule. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34