NPN-Transistor BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

NPN-Transistor BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V

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Stückpreis
10-49
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0.0432€
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NPN-Transistor BC847BPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: SOT-363 ( SC-88 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-363. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 45V. Anzahl der Terminals: 6. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 100 MHz. Funktion: DUAL NPN & PNP. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 200mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13. Maximaler hFE-Gewinn: 450. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 13. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Transistortyp: PNP & NPN. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC847BPN
27 Parameter
Kollektorstrom
100mA
Gehäuse
SOT-363 ( SC-88 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-363
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
45V
Anzahl der Terminals
6
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
100 MHz
Funktion
DUAL NPN & PNP
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
200mA
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
13
Maximaler hFE-Gewinn
450
Menge pro Karton
2
Minimaler hFE-Gewinn
200
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
300mW
RoHS
ja
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 13
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.1V
Transistortyp
PNP & NPN
VCBO
50V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10