NPN-Transistor BC850C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V

NPN-Transistor BC850C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V

Menge
Stückpreis
10-24
0.0717€
25-99
0.0495€
100-499
0.0467€
500+
0.0412€
Menge auf Lager: 2118
Minimum: 10

NPN-Transistor BC850C, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. FT: 300 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximaler hFE-Gewinn: 800. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 420. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Spec info: SMD 2G. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BC850C
18 Parameter
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
FT
300 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Maximaler hFE-Gewinn
800
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
420
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Spec info
SMD 2G
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors
Mindestmenge
10