NPN-Transistor BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V
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NPN-Transistor BC857B, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, -45V, 45V, 100mA, 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -45V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 45V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 100MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -50V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 220. FT: 150 MHz. Funktion: Allzweck. Gewinne hfe: 290. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 3F. Ic(Impuls): 200mA. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 3F. Kollektorstrom Ic [A]: 100mA. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 0.25W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BC. Spannung (Sammler - Emitter): 50V, 45V. Spec info: SMD KO0 3F. Transistortyp: PNP. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34