NPN-Transistor BC858C-3G, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA
Menge
Stückpreis
1-9
0.19€
10-99
0.11€
100-999
0.0541€
1000+
0.0246€
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NPN-Transistor BC858C-3G, SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 30 v. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: 3G. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22
BC858C-3G
13 Parameter
Gehäuse
SOT-23
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-236
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
30 v
Kollektorstrom Ic [A], max.
100mA
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
100 MHz
Herstellerkennzeichnung
3G
Komponentenfamilie
PNP-Transistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
0.25W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec