NPN-Transistor BCP56-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V

NPN-Transistor BCP56-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
0.17€
5-49
0.15€
50-99
0.13€
100-499
0.11€
500+
0.0941€
+16755 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 368

NPN-Transistor BCP56-16, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 180 MHz. Funktion: Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BCP56/16. Kosten): 6pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.35W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34

Technische Dokumentation (PDF)
BCP56-16
26 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
180 MHz
Funktion
Audio-, Telefon- und Automobilanwendungen
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
BCP56/16
Kosten)
6pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
250
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.35W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BCP53-16
Transistortyp
NPN
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors