NPN-Transistor BCP56-16T1G, SOT-223, 1A

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NPN-Transistor BCP56-16T1G, SOT-223, 1A. Gehäuse: SOT-223. Kollektorstrom Ic [A], max.: 1A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-261. Grenzfrequenz ft [MHz]: 130 MHz. Herstellerkennzeichnung: BH-10. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 1A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Leistung: 1.5W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Montage/Installation: SMD. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
BCP56-16T1G
19 Parameter
Gehäuse
SOT-223
Kollektorstrom Ic [A], max.
1A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-261
Grenzfrequenz ft [MHz]
130 MHz
Herstellerkennzeichnung
BH-10
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A]
1A
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Leistung
1.5W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
1.5W
Montage/Installation
SMD
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi