NPN-Transistor BCX42, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrom: 0.8A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 125V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...150°C. CE-Diode: nein. FT: 150 MHz. Funktion: PNP-Transistor, für AF- und Schaltanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DKs. Kosten): 12pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.9V. Maximaler hFE-Gewinn: 63. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.33W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BCX41. Transistortyp: PNP. VCBO: 125V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:34