NPN-Transistor BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: NF-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD237. Ic(Impuls): 6A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 25W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD238. Strom max 1: 2A. Sättigungsspannung VCE(sat): -. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24