NPN-Transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

NPN-Transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V

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Stückpreis
1-4
0.47€
5-24
0.39€
25-49
0.40€
50-99
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100+
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NPN-Transistor BD238, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, -80V, 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 3MHz. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: Audio-, Leistungslinear- und Schaltanwendungen. Gewinne hfe: 25...40. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD238. Ic(Impuls): 6A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 25W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 25W. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 25W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD. Spannung (Sammler - Emitter): 100V, 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD237. Strom max 1: -2A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BD238
49 Parameter
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (JEDEC-Standard)
SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-80V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
2A
Kollektorstrom
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
3MHz
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
25
FT
3 MHz
Frequenz
3MHz
Funktion
Audio-, Leistungslinear- und Schaltanwendungen
Gewinne hfe
25...40
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BD238
Ic(Impuls)
6A
Kollektorstrom Ic [A]
2A
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
25W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
25W
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
25W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BD
Spannung (Sammler - Emitter)
100V, 80V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD237
Strom max 1
-2A
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
Typ
Leistung
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil