NPN-Transistor BD240C, TO-220, 2A, TO-220, 115V

NPN-Transistor BD240C, TO-220, 2A, TO-220, 115V

Menge
Stückpreis
1-4
0.66€
5-49
0.55€
50-99
0.48€
100-199
0.44€
200+
0.38€
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NPN-Transistor BD240C, TO-220, 2A, TO-220, 115V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 115V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 3MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 4A. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Konditionierung: tubus. Leistung: 30W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.7V. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 115V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD239C. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BD240C
29 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
115V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
3MHz
Frequenz
3MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
4A
Kollektorstrom Ic [A]
2A
Konditionierung
tubus
Leistung
30W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.7V
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
115V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD239C
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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