NPN-Transistor BD242CG, -100V, -3A, TO-220AB, 100V, 3A

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NPN-Transistor BD242CG, -100V, -3A, TO-220AB, 100V, 3A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: -3A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 3A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BD242CG. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 21:22

Technische Dokumentation (PDF)
BD242CG
16 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Kollektorstrom
-3A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
3A
Anzahl der Terminals
3
Herstellerkennzeichnung
BD242CG
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
40W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Polarität
PNP
RoHS
ja
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi