NPN-Transistor BD244C, -100V, TO-220, 6A, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, 100V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 6A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD244C. Ic(Impuls): 10A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 65W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD243C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24