NPN-Transistor BD439, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), SOT-32, 60V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-32. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. Darlington-Transistor?: nein. FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 7A. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD440. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24