NPN-Transistor BD649, TO-220AB, 8A
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NPN-Transistor BD649, TO-220AB, 8A. Gehäuse: TO-220AB. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BD649. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 62.5W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Bourns. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 20:52
BD649
12 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Herstellerkennzeichnung
BD649
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
120V
Komponentenfamilie
Darlington NPN-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
62.5W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Bourns