NPN-Transistor BD679, TO-126, 80V, 4A. Gehäuse: TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Anzahl der Terminals: 3. Collector-Base-Spannung VCBO: 80V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: BD679. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A]: 4A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Montage/Installation: THT. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD679. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Strom max 1: 4A. Transistortyp: Darlington-Transistor. Typ: Darlington-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25