Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (JEDEC-Standard)
SOT-32
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
4A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-126
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
BE-Widerstand
R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms
Darlington-Transistor?
ja
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BD680
Komponentenfamilie
Darlington PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BD679
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics