NPN-Transistor BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 4A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. Eingebaute Diode: ja. FT: 10 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): SOT-32. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BD681. Ic(Impuls): 6A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 4A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BD681. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD682. Strom max 1: 4A. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24