NPN-Transistor BD809G, TO-220, 10A. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Herstellerkennzeichnung: BD809G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25