NPN-Transistor BD810G, TO-220, TO-220, 80V, 10A
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NPN-Transistor BD810G, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Anzahl der Terminals: 3. Grenzfrequenz ft [MHz]: 1.5 MHz. Herstellerkennzeichnung: BD810G. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 90W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25
BD810G
13 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Kollektorstrom Ic [A], max.
10A
Anzahl der Terminals
3
Grenzfrequenz ft [MHz]
1.5 MHz
Herstellerkennzeichnung
BD810G
Komponentenfamilie
PNP-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
90W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi