NPN-Transistor BD830, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-202. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-202; SOT128B. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 8W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BD829. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24