NPN-Transistor BDT64C, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: ja. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Ic(Impuls): 20A. Maximaler hFE-Gewinn: 1500. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDT65C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: Darlington-Transistor. Temperatur: +150°C. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 2.5V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 14/11/2025, 00:14