NPN-Transistor BDV64C, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V
Menge
Stückpreis
1-4
6.87€
5-14
6.48€
15-29
6.17€
30-59
5.88€
60+
5.33€
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NPN-Transistor BDV64C, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: hFE 1000. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. Transistortyp: PNP. Originalprodukt vom Hersteller: Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30
BDV64C
13 Parameter
Kollektorstrom
12A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-93
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
hFE 1000
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) BDV65C
Transistortyp
PNP
Originalprodukt vom Hersteller
Inchange Semiconductor