NPN-Transistor BDV64C-POW, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-93. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDV65C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Power Integrations. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30