NPN-Transistor BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V
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NPN-Transistor BDW93C, TO-220, 12A, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 100. Darlington-Transistor?: ja. Dielektrische Struktur: Darlington-Transistor. FT: 20 MHz. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) BDW94C. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BDW93C. Ic(Impuls): 15A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 12A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 80W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BDW93. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Strom max 1: 12A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30