NPN-Transistor BDW94C, TO-220, TO-220AB, 12A, -100V, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

NPN-Transistor BDW94C, TO-220, TO-220AB, 12A, -100V, 100V, 12A, TO-220AB, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.95€
5-24
0.82€
25-49
0.72€
50-99
0.64€
100+
0.53€
+302 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 90

NPN-Transistor BDW94C, TO-220, TO-220AB, 12A, -100V, 100V, 12A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 100. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: komplementärer Transistor (Paar) BDW93C. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BDW94C. Ic(Impuls): 15A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 12A. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 80W. MSL: -. Max Frequenz: 30 MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 80W. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BDW94C. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Strom max 1: -12A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:30

Technische Dokumentation (PDF)
BDW94C
45 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Kollektorstrom
12A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
12A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
100
Darlington-Transistor?
ja
FT
20 MHz
Funktion
komplementärer Transistor (Paar) BDW93C
Gewinne hfe
750
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BDW94C
Ic(Impuls)
15A
Kollektorstrom Ic [A]
12A
Komponentenfamilie
Darlington PNP-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
80W
Max Frequenz
30 MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
80W
Maximaler hFE-Gewinn
20000
Menge pro Karton
2
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
80W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
BDW94C
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
Strom max 1
-12A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics