NPN-Transistor BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom: 10A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 150 Ohms. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. Eingebaute Diode: ja. FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BDX33C. Ic(Impuls): 15A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 10A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 70W. MSL: -. Max Frequenz: 20MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Maximaler hFE-Gewinn: 750. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: BDX33. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BDX34C. Strom max 1: 10A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 2.5V. Widerstand B: 10k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24