NPN-Transistor BDX54C, TO-220, TO-220AB, 8A, -100V, 100V, 8A, TO-220AB, 50V

NPN-Transistor BDX54C, TO-220, TO-220AB, 8A, -100V, 100V, 8A, TO-220AB, 50V

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Stückpreis
1-4
0.84€
5-24
0.70€
25-49
0.63€
50-99
0.55€
100+
0.46€
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NPN-Transistor BDX54C, TO-220, TO-220AB, 8A, -100V, 100V, 8A, TO-220AB, 50V. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Kollektorstrom: 8A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: -100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Darlington-Transistor?: ja. FT: 20 MHz. Funktion: Audioverstärker. Gewinne hfe: 750. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BDX54C. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) BDX53C. Ic(Impuls): 12A. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 8A. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 60W. MSL: -. Max Frequenz: 20MHz. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 60W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 750. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 60W. Polarität: bipolar. Produktionsdatum: 2014/32. RoHS: ja. Serie: BDX54C. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Strom max 1: -8A. Technologie: Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 04:24

Technische Dokumentation (PDF)
BDX54C
52 Parameter
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Kollektorstrom
8A
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-100V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
ja
Collector-Base-Spannung VCBO
-100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
750
Darlington-Transistor?
ja
FT
20 MHz
Funktion
Audioverstärker
Gewinne hfe
750
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BDX54C
Hinweis
Komplementärtransistor (Paar) BDX53C
Ic(Impuls)
12A
Kollektorstrom Ic [A]
8A
Komponentenfamilie
Darlington PNP-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
60W
Max Frequenz
20MHz
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
60W
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
750
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
60W
Polarität
bipolar
Produktionsdatum
2014/32
RoHS
ja
Serie
BDX54C
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
Strom max 1
-8A
Technologie
Komplementäre Leistungs-Darlington-Transistoren
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics